波長

1240nm - 1330nm​

種類

・エピウエハ

・FP-LD

・DFB-LD

​・ゲインチップ

​（詳細はお問合せください。）

ファウンドリ

サービス

メニュー

【エピタキシャル成長】まで

（提供形態：エピウエハ）

3 inch または 4 inch GaAs基板上に高品質のエピタキシャル成長を行います。

成長可能層は以下の通りです。

・InAs量子ドット
・InGaAs量子井戸

・GaAs

・AlGaAs

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【回折格子埋め込み再成長】まで

（提供形態：回折格子付きエピウエハ）

​活性層エピ、回折格子の形成と埋め込み再成長を行います。

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【ウエハプロセス】まで

（提供形態：プロセス後のウエハ）

エピ、CAD作業・マスク作製、ウエハプロセスを行います。

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【バー加工またはチップ加工】まで

（提供形態：バーまたはチップ）

エピ、ウエハプロセス、バー形成、端面コート、チップ化を行います。

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【TO-CANパッケージング】まで

（提供形態：5.6mm TO-CANパッケージ）

エピ、ウエハプロセス、チップ加工後、レーザチップを5.6mmのTO-CANにパッケージングします。

適用例

光通信用光源

シリコンフォトニクス用光源（データセンタ内通信、スーパーコンピュータ、LiDAR、車載通信、携帯電話基地局通信）

​地下資源探査（高温175 - 200度）